韩国半导体产业协会最新评估显示,中国存储芯片厂商与领先厂商之间的技术差距正在迅速缩小。长江存储(YMTC)在 NAND 闪存方面仅落后约 1 年;长鑫存储(CXMT)在 DRAM 方面落后约 2 年,在 HBM 方面落后约 3 年。而就在不久前,这一差距还普遍被认为在 5 年左右。 《韩国中央日报》援引韩国半导体产业协会的说法称: “韩国与中国在存储芯片领域的技术差距已经缩小到:HBM 领域三年,DRAM 领域两年,NAND 闪存领域一年。” 这一变化最令人惊讶的,是中国半导体产业追赶的规模与速度。 NAND:长江存储有望把差距压缩到约 1 年 三星和
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